ACSEnergyLetters、浩辰化设AdvancedScience期刊的CS指标比IF预测值较低。
【图文导读】图一(Sb4S6)n晶体在TiO2上的典型异质生长示意图(a)TiO2纳米颗粒基底上的[hk0]取向Sb2S3，教计不利于载流子传输和分离。此外Sb2S3薄膜表面经由沉积方法的进一步调控，程之参数可实现更有效的织构型光俘获微结构。
同时织构的Sb2S3薄膜微结构表面可实现更有效的光俘获，浩辰化设从而短路电流由13.6提升至15.8mA/cm2，最终实现了5.4%的光电转换效率。教计(d,e)掠入射角为0.2°和1°条件下外延生长的Sb2S3薄膜GIWAXS。程之参数(b)PCE随晶粒尺寸变化分布。
浩辰化设(f)温度依赖的开路电压变化曲线。教计图七晶粒尺寸影响器件性能(a)Jsc随晶粒尺寸变化分布。
华中科技大学的邓辉、程之参数MuhammadIshaq博士和澳大利亚新南威尔士大学的曾溢宇博士为论文的共同第一作者，程之参数华中科技大学宋海胜和澳大利亚新南威尔士大学的HaoXiaojing教授为论文的共同通讯作者。
【小结】研究人员通过TiO2薄膜热处理制度调控，浩辰化设实现了Sb2S3薄膜基于TiO2基底的准外延生长，浩辰化设进而有效抑制了界面及薄膜内部载流子复合，开路电压由0.49V提高至0.65V。b）当周围环境温度为288K时，教计具有不同施加温度的开路电压和输出功率密度。
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教计d）自支撑Bi2Te3-SWCNTFTE薄膜的横截面SEM图像。程之参数b）二甲基亚砜（DMSO）-聚（环氧乙烷）（PEO）二元二次掺杂剂同时增加电导率（σ）和塞贝克系数（S）（红色虚线突出显示）PEDOT：PSS。